4月14日，美国当局依据《贸易扩展法》第232条款，正式启动半导体制造设备进口安全审查。若调查认定存在威胁，将可能调整现行关税政策。此举或将对三星电子、SK海力士、美光科技等存储芯片巨头产生冲击。

行业观察人士指出，此举标志着美国正将半导体产业关税政策从单一产品向全产业链延伸。继台积电、三星等跨国企业在美建立生产基地后，美国政府正通过关税杠杆倒逼半导体设备及零部件供应商加速本土化布局。

关税加征成本上升三星涨价向终端市场转嫁危机

据韩国《朝鲜日报》报道，对于三星来说，其大部分DRAM产能均在韩国华城和平泽等地的工厂生产。然而，三星电子西安工厂却是该公司最大的NAND Flash闪存生产基地，占其总产能的40%以上。截至2024年，西安厂区的晶圆年产量达到57万片，占比达到44%。若关税政策生变，将直接冲击该企业四成闪存产品供给。

据知名媒体Tech in Asia报道，由于美国近期出台的法规限制向中国出口AI半导体产品，同时中国是三星芯片的最大销售市场，后续三星电子或许将遭遇诸多挑战。2024年，中国市场销售额占三星总业绩的31%，这得益于部分中国公司在美国限制之前大量囤积HBM芯片。

韩国媒体《Newsis》报道显示，三星虽曾获得《芯片法案》政策支持，在德州泰勒市斥资170亿美元建设的晶圆厂已接近竣工（建设进度99.6%），进入设备交付阶段。然而，考虑到设备通常在工厂建成后3-6个月内进口，设备关税征收时间与进口时间可能将有所重叠。目前，泰勒工厂的投产时间已从2024年年底推迟到2026年，2年的投产真空期难以带来收益，可能会导致三星在业绩节节败退下的本就承压的资金链雪上加霜。

3月17日，三星集团实际控制人李在镕在内部会议上发出预警，直言企业“正面临存续危机”。在AI芯片领域落后于英伟达、SK海力士等竞争对手的背景下，叠加关税政策的不确定性，该企业盈利空间持续收窄。

目前三星已启动全球客户谈判，计划对DRAM、NAND及HBM产品实施3%-5%的价格上浮。借助市场冠冕堂皇的涨价理由难掩三星黔驴技穷下唯有向市场转嫁成本压力的窘境，据了解DRAM具备大宗产品属性，以全球市场34%的业绩贡献占据三星电子营收的半壁江山，产品涨价让市场买单无疑成了三星当下的无奈之举。

在此背景下，三星涨价后的新合同谈判已经开始推进。此次涨价可视为三星向终端市场转嫁损失的举措。市场分析指出，这种“成本转嫁”策略或将引发产业链价格体系重构，波及消费电子终端市场。

政治游说遇阻 跨国企业陷政策困局

为应对复杂贸易环境，三星近期与华盛顿游说机构Continental Strategy达成战略合作。值得关注的是，该机构合伙人凯蒂·威尔斯与白宫幕僚长苏西·威尔斯存在直系亲属关联。

据美国参议院披露，2024年三星在美政治游说支出创下韩国企业纪录（698万美元），其中部分资金流向对华鹰派议员迈克·加拉格尔。他曾多次向拜登政府施压，要求进一步加强对中国半导体产业的限制措施，例如提议将中国的半导体领军企业长鑫存储等纳入出口管制名单，并严格限制美国技术向这些中国企业出口。

然而，2025年3月，美国总统川普宣称将废除《芯片法案》，取消对半导体企业的补贴。据《金融时报》报道，三星至今未能在美争取到关键客户支持。看来，前期巨额游说投入尚未显现预期成效，反而使三星陷入更复杂的政商博弈格局。